Инвентаризация:11463

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 330mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN0606-3
  • Длина ремня 1.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 0.3 nC @ 4.5 V
  • 17 pF @ 16 V

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606

Инвентаризация: 3082

GANFET N-CH 100V 500MA DIE

Инвентаризация: 82458

MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2

Инвентаризация: 18208

MOSFET N-CH 60V 270MA SOT323

Инвентаризация: 78995

Top