Инвентаризация:31575

Технические детали

  • Тип монтажа 6-XFDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 400mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 300mA
  • Сопротивление при 25°C 1.5Ohm @ 10mA, 4V
  • Барьерный тип 900mV @ 100µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN1310-6 (Type B)

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 48323

MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

Инвентаризация: 2970

MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN

Инвентаризация: 24294

MOSFET 2N-CH 20V 0.2A 6XLLGA

Инвентаризация: 7360

MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3

Инвентаризация: 25554

Top