Инвентаризация:4470

Технические детали

  • Тип монтажа 6-XFDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.39W
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.11A (Ta)
  • Глубина 128.6pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 195mOhm @ 300mA, 4.5V
  • Тип симистора 3.2nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 950mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN1310-6 (Type B)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN

Инвентаризация: 242504

DIODE ZENER 18V 150MW EMD2

Инвентаризация: 7620

MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW

Инвентаризация: 2995

Top