Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric ME
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 44A (Ta), 211A (Tc)
• Сопротивление при 25°C 0.82mOhm @ 50A, 10V
• Материал феррулы 2.8W (Ta), 63W (Tc)
• Барьерный тип 2V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение MG-WDSON-8-904
• Длина ремня 4.5V, 10V
• Шаг Количество ±20V
• 40 V
• 165 nC @ 10 V
• 8400 pF @ 20 V