- Модель продукта DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 1200V 25A
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1524
Технические детали
- Количество витков Chassis Mount
- Скорость 2 N-Channel
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
- Толщина внешнего контактного покрытия 25A
- Глубина 2200pF @ 800V
- Сопротивление при 25°C 32.3mOhm @ 25A, 18V
- Тип симистора 74nC @ 18V
- Барьерный тип 5.15V @ 10mA