Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 45A (Tj)
• Сопротивление при 25°C 16.2mOhm @ 50A, 18V
• Барьерный тип 5.15V @ 20mA
• Длина ремня 15V, 18V
• Шаг Количество +20V, -7V
• 1200 V
• 149 nC @ 18 V
• 4400 pF @ 800 V