Инвентаризация:4298

Технические детали

  • Тип монтажа 6-UDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.3A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 18.4mOhm @ 7.3A, 4.5V
  • Материал феррулы 1.5W (Ta), 18W (Tc)
  • Барьерный тип 900mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN2020M-6
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±12V
  • 30 V
  • 6.5 nC @ 4.5 V
  • 500 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


IC GATE NOR 2CH 2-INP DFN2010-8

Инвентаризация: 12387

MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223

Инвентаризация: 1732

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Инвентаризация: 6813

MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3

Инвентаризация: 761448

IC D-TYPE TRANSP SGL 8:8 20VQFN

Инвентаризация: 2955

Top