- Модель продукта IPD055N08NF2SATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3315
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 17A (Ta), 98A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 5.5mOhm @ 60A, 10V
- Материал феррулы 3W (Ta), 107W (Tc)
- Барьерный тип 3.8V @ 55µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 54 nC @ 10 V
- 2500 pF @ 40 V