- Модель продукта IPB043N10NF2SATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание AUTOMOTIVE MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2085
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta), 135A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.35mOhm @ 80A, 10V
- Материал феррулы 3.8W (Ta), 167W (Tc)
- Барьерный тип 3.8V @ 93µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 85 nC @ 10 V
- 4000 pF @ 50 V