- Модель продукта IPT022N10NF2SATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3300
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Ta), 236A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.25mOhm @ 150A, 10V
- Материал феррулы 3.8W (Ta), 250W (Tc)
- Барьерный тип 3.8V @ 169µA
- Максимальное переменное напряжение PG-HSOF-8-10
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 155 nC @ 10 V
- 7300 pF @ 50 V