- Модель продукта AIMBG120R030M1XTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SIC_DISCRETE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 70A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 38mOhm @ 27A, 20V
- Материал феррулы 333W (Tc)
- Барьерный тип 5.1V @ 8.6mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 18V, 20V
- Шаг Количество +23V, -5V
- 1200 V
- 57 nC @ 20 V
- 1738 pF @ 800 V
- AEC-Q101