- Модель продукта TK2P90E,RQ
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7443
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 5.9Ohm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 80W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 200µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 900 V
- 12 nC @ 10 V
- 500 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
TRANS NPN 50V 0.15A UMT3
Инвентаризация: 33201
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Инвентаризация: 55
MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
Инвентаризация: 629
