- Модель продукта TK2R9E10PL,S1X
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт 175°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 2.9mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 306W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 161 nC @ 10 V
- 9500 pF @ 50 V