- Модель продукта SIDR626EP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3517
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 50.8A (Ta), 227A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.74mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 7.5W (Ta), 150W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8DC
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 102 nC @ 10 V
- 5130 pF @ 30 V