- Модель продукта G2014
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4440
Технические детали
- Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7mOhm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 3W (Tc)
- Барьерный тип 900mV @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-DFN (2x2)
- Длина ремня 2.5V, 10V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 17.5 nC @ 4.5 V
- 1710 pF @ 10 V