Инвентаризация:1769

Технические детали

  • Тип монтажа 6-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12.1A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
  • Материал феррулы 860mW (Ta)
  • Барьерный тип 1.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-PQFN (2x2)
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 21 nC @ 4.5 V
  • 2165 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Инвентаризация: 756674

N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M

Инвентаризация: 2940

MOSFET N-CH 20V 14A DFN2*2-6L

Инвентаризация: 6000

PMPB08R5XN/SOT1220-2/DFN2020M-

Инвентаризация: 5590

SENSOR HUMI/TEMP I2C 2% SMD

Инвентаризация: 29817

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

Инвентаризация: 23617

Top