- Модель продукта NTLJS3D0N02P8ZTAG
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1769
Технические детали
- Тип монтажа 6-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12.1A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
- Материал феррулы 860mW (Ta)
- Барьерный тип 1.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-PQFN (2x2)
- Длина ремня 1.8V, 4.5V
- Шаг Количество ±12V
- 20 V
- 21 nC @ 4.5 V
- 2165 pF @ 10 V