Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 12-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 4 N-Channel (Full Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 900mW
  • Внутренняя отделка контактов 100V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Ta)
  • Глубина 683pF @ 50V
  • Сопротивление при 25°C 33mOhm @ 6A, 10V
  • Тип симистора 11.9nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение V-DFN5045-12 (Type C)

Сопутствующие товары


BZT52H-A30-Q/SOD123F/SOD2

Инвентаризация: 2170

MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP

Инвентаризация: 2127

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6SON

Инвентаризация: 8974

Top