Инвентаризация:3324

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel Complementary
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.6W (Ta), 25W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 12V, 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta), 31.3A (Ta), 6.7A (Ta), 20.9A (Tc)
  • Глубина 1525pF @ 6V, 866pF @ 6V
  • Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
  • Тип симистора 30.4nC @ 8V, 19nC @ 8V
  • Барьерный тип 1.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type UXD)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6UDFN

Инвентаризация: 2945

MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26

Инвентаризация: 5877

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23

Инвентаризация: 125005

Top