Инвентаризация:4445

Технические детали

  • Тип монтажа 6-UDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel Complementary
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 700mW (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Ta), 3.5A (Ta)
  • Глубина 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
  • Тип симистора 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
  • Барьерный тип 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение U-DFN2020-6 (Type B)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 12V 20.9A PWRDI50

Инвентаризация: 1824

MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6UDFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26

Инвентаризация: 5877

IC MULTI-FUNC GTE CONFIG SOT23-6

Инвентаризация: 465

Top