Инвентаризация:4000

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 69A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 1.5W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 87 nC @ 20 V
  • 4763 pF @ 20 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

Инвентаризация: 2892

MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 18753

MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 2400

MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 2840

MOSFET P-CH 40V 80A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 50000

MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN

Инвентаризация: 5429

Top