Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 6-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 800mW (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Ta)
  • Глубина 2235pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 5.5mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 17.7nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 2.2V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение X4-DSN3519-6

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12

Инвентаризация: 20515

Top