Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 83mOhm @ 4.4A, 10V
  • Материал феррулы 2.2W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type UX)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 100 V
  • 27.7 nC @ 10 V
  • 1808 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP

Инвентаризация: 2102

MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN

Инвентаризация: 0

TRENCH >=100V

Инвентаризация: 3471

PCH -100V -33A POWER MOSFET: RS1

Инвентаризация: 1990

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S

Инвентаризация: 0

Top