- Модель продукта G7P03S
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание P30V,RD(MAX)<22M@-10V,RD(MAX)<33
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5126
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 3A, 10V
- Материал феррулы 2.7W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 24.5 nC @ 10 V
- 1253 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Инвентаризация: 22436
P30V,RD(MAX)<22M@-10V,RD(MAX)<33
Инвентаризация: 3626
MOSFET P-CH 30V 9A SOP-8
Инвентаризация: 40000
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Инвентаризация: 17027
IC DECODER/DEMUX 1X1:2 SOT23-6
Инвентаризация: 13917
