- Модель продукта 1002
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:4345
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2A
- Сопротивление при 25°C 250mOhm @ 2A, 10V
- Материал феррулы 1.3W
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 10 nC @ 10 V
- 387 pF @ 10 V
Сопутствующие товары
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Инвентаризация: 31931
N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
Инвентаризация: 2964
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L
Инвентаризация: 60000
P-CHANNEL MOSFET
Инвентаризация: 2647
