- Модель продукта G1002L
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4464
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 250mOhm @ 2A, 10V
- Материал феррулы 1.3W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23-3L
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 10 nC @ 10 V
- 413 pF @ 50 V