- Модель продукта SQJ910AEP-T1_BE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS No
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:4470
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 48W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Глубина 1869pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 7mOhm @ 12A, 10V
- Тип симистора 39nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
Инвентаризация: 18988
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Инвентаризация: 17929
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Инвентаризация: 12500
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Инвентаризация: 5543
