- Модель продукта SQJ414EP-T1_BE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:19429
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 4.5A, 10V
- Материал феррулы 45W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 25 nC @ 10 V
- 1110 pF @ 15 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
Инвентаризация: 18988
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Инвентаризация: 27798
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
Инвентаризация: 2970
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Инвентаризация: 5543
