Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 450mOhm @ 5A, 20V
  • Материал феррулы 71W (Tc)
  • Барьерный тип 3.14V @ 250µA
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +23V, -10V
  • 1200 V
  • 21 nC @ 20 V
  • 255 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


MOSFET SIC 700 V 90 MOHM TO-263-

Инвентаризация: 0

MOSFET SIC 1700 V 750 MOHM D2PAK

Инвентаризация: 0

Top