Инвентаризация:7350

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2A (Ta), 13A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 120mOhm @ 2.4A, 10V
  • Материал феррулы 900mW (Ta), 41W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 45µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 9.2 nC @ 10 V
  • 637 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

Инвентаризация: 227632

MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP

Инвентаризация: 2102

MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP

Инвентаризация: 16581

MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN

Инвентаризация: 5429

MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33

Инвентаризация: 9343

MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6

Инвентаризация: 23315

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S

Инвентаризация: 0

DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3

Инвентаризация: 32077

Top