Инвентаризация:16624

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 270mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 7.5Ohm @ 100mA, 10V
  • Материал феррулы 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN1110D-3
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество +12V, -20V
  • 50 V
  • 0.6 nC @ 10 V
  • 23.2 pF @ 25 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3

Инвентаризация: 16200

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

Инвентаризация: 133208

MOSFET SOT-23 P Channel 50V

Инвентаризация: 240000

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 118350

50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@

Инвентаризация: 0

MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5

Инвентаризация: 39265

MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB

Инвентаризация: 14174

Top