Инвентаризация:17700

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 720mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 850mOhm @ 720mA, 10V
  • Материал феррулы 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
  • Барьерный тип 2.6V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN1110D-3
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±16V
  • 60 V
  • 0.92 nC @ 10 V
  • 28 pF @ 30 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 15V 150MW SOD523

Инвентаризация: 89437

MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W

Инвентаризация: 6452

IC GATE XOR 1CH 2-INP SOT23-5

Инвентаризация: 14295

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Инвентаризация: 6876

Top