Технические детали

• Тип монтажа Module
• Количество витков Chassis Mount
• Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
• Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
• Толщина внешнего контактного покрытия 400A
• Глубина 42500pF @ 600V
• Сопротивление при 25°C 3.7mOhm @ 400A, 15V
• Тип симистора 1320nC @ 15V
• Барьерный тип 5.55V @ 240mA
• Максимальное переменное напряжение AG-HYBRIDD-2