Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа Module
  • Количество витков Chassis Mount
  • Скорость 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение Silicon Carbide (SiC)
  • Внутренняя отделка контактов 1200V (1.2kV)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 400A (Tj)
  • Глубина 42500pF @ 600V
  • Сопротивление при 25°C 3.7mOhm @ 400A, 15V
  • Тип симистора 1320nC @ 15V
  • Барьерный тип 5.55V @ 240mA
  • Максимальное переменное напряжение AG-HYBRIDD-2

Сопутствующие товары


SIC 6N-CH 1200V 379A ACEPACK

Инвентаризация: 0

MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE

Инвентаризация: 8

SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE

Инвентаризация: 59

IGBT MODULE 1200V 380A

Инвентаризация: 6

IGBT MODULE 750V 950A

Инвентаризация: 6

AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32

Инвентаризация: 78

Top