Инвентаризация:3962

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta), 68A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 34A, 10V
  • Материал феррулы 114W (Tc)
  • Барьерный тип 2.4V @ 72µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 120 V
  • 51 nC @ 10 V
  • 4900 pF @ 60 V

Сопутствующие товары


TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 2536

MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN

Инвентаризация: 11139

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

Инвентаризация: 8246

Top