- Модель продукта PMDPB95XNE2X
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS No
- Описание MOSFET 30V
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:442432
Технические детали
- Тип монтажа 6-UDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 510mW (Ta), 8.33W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.7A (Ta)
- Глубина 258pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 99mOhm @ 2.8A, 4.5V
- Тип симистора 4.5nC @ 4.5V
- Барьерный тип 1.25V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-HUSON (2x2)