- Модель продукта DMTH10H2M5STLWQ-13
- Бренд Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2622
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 215A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.5mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение POWERDI1012-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 124.4 nC @ 10 V
- 8450 pF @ 50 V
- AEC-Q101