- Модель продукта SSM6N813R,LXHF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS No
- Описание MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 6-SMD, Flat Leads
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт 175°C
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.5W (Ta)
- Внутренняя отделка контактов 100V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.5A (Ta)
- Глубина 242pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 112mOhm @ 3.5A, 10V
- Тип симистора 3.6nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Барьерный тип 2.5V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение 6-TSOP-F
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
SENSOR CURRENT HALL 400A 5-CB
Инвентаризация: 1331
MOSFET N-CH 150V 214A
Инвентаризация: 2102
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Инвентаризация: 5529
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Инвентаризация: 19999
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
Инвентаризация: 923829
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5271
