- Модель продукта NTGD4167CT1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:925329
Технические детали
- Тип монтажа SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N and P-Channel
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 900mW
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.6A, 1.9A
- Глубина 295pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
- Тип симистора 5.5nC @ 4.5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 1.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 6-TSOP