- Модель продукта SIR188LDP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS No
- Описание N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 25.8A (Ta), 93.6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.75mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 65.7W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 52 nC @ 10 V
- 2300 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 8772
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Инвентаризация: 4361
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Инвентаризация: 5503
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Инвентаризация: 5583
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Инвентаризация: 11142
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Инвентаризация: 8970
