- Модель продукта RF5L08350CB4
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS 50V B4E
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1513
Технические детали
- Тип монтажа B4E
- Толщина контактного покрытия 1µA
- Количество витков Chassis Mount
- Индуктивность 1GHz
- Общее сопротивление 400W
- Площадь (Д x Ш) 19dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение B4E
- Длина ножки 110 V
- 50 V
- 200 mA
Сопутствующие товары
RF MOSFET LDMOS 28V B4E
Инвентаризация: 30
RF MOSFET LDMOS 28V LBB
Инвентаризация: 11
