- Модель продукта RF2L16180CB4
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS 28V B4E
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1530
Технические детали
- Тип монтажа B4E
- Толщина контактного покрытия 1µA
- Количество витков Chassis Mount
- Индуктивность 1.6GHz
- Общее сопротивление 180W
- Площадь (Д x Ш) 14dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение B4E
- Длина ножки 65 V
- 28 V
- 600 mA
Сопутствующие товары
RF MOSFET LDMOS 28V B2
Инвентаризация: 23
RF MOSFET LDMOS 28V LBB
Инвентаризация: 22
RF MOSFET LDMOS 50V B4E
Инвентаризация: 13
