- Модель продукта IPB65R090CFD7ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание HIGH POWER_NEW
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4350
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 25A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 90mOhm @ 12.5A, 10V
- Материал феррулы 127W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 630µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 53 nC @ 10 V
- 2513 pF @ 400 V