- Модель продукта IPB60R105CFD7ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2488
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 105mOhm @ 9.3A, 10V
- Материал феррулы 106W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 470µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3-2
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 42 nC @ 10 V
- 1752 pF @ 400 V