Инвентаризация:14776

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-1205, 8-LFPAK56
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 64W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Ta)
  • Глубина 2953pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 11.2mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 22.4nC @ 5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.1V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение LFPAK56D
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D

Инвентаризация: 1415

MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 2969

MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN

Инвентаризация: 949

Top