Инвентаризация:24131

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.6A (Ta), 42.5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 13.3mOhm @ 8.6A, 10V
  • Материал феррулы 1.7W (Ta), 40W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение MLPAK33
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 50.1 nC @ 10 V
  • 1650 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

Инвентаризация: 257838

MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333

Инвентаризация: 9899

P-CHANNEL TRENCH MOSFET

Инвентаризация: 6979

MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT

Инвентаризация: 7183

Top