Инвентаризация:11579

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.4A (Ta), 39.7A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 8.1A, 4.5V
  • Материал феррулы 1.8W (Ta), 50W (Tc)
  • Барьерный тип 1.25V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение MLPAK33
  • Длина ремня 2.5V, 4.5V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 34.8 nC @ 4.5 V
  • 2.36 nF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

Инвентаризация: 257838

MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333

Инвентаризация: 9899

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23

Инвентаризация: 553866

P-CHANNEL TRENCH MOSFET

Инвентаризация: 6979

PXP3R7-12QU/SOT8002/MLPAK33

Инвентаризация: 1132

Top