Инвентаризация:7263

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 28A
  • Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 60W
  • Барьерный тип 2.7V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN5060
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 19.3 nC @ 10 V
  • 1050 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3

Инвентаризация: 11019

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

Инвентаризация: 0

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V

Инвентаризация: 2363

MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 50000

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 10546

MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Инвентаризация: 21340

Top