Инвентаризация:1565

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Толщина контактного покрытия 800mA
  • Индуктивность 7GHz
  • Общее сопротивление 25W
  • Площадь (Д x Ш) 17dB
  • Функция - Освещение GaN HEMT
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ножки 28 V
  • 28 V
  • 100 mA

Сопутствующие товары


RF MOSFET GAN HEMT 28V DIE

Инвентаризация: 30

RF MOSFET GAN HEMT 48V DIE

Инвентаризация: 35

Top