Инвентаризация:1535

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Толщина контактного покрытия 800mA
  • Индуктивность 8GHz
  • Общее сопротивление 30W
  • Площадь (Д x Ш) 12dB
  • Функция - Освещение GaN HEMT
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ножки 48 V
  • 48 V
  • 250 mA

Сопутствующие товары


RF MOSFET GAN HEMT 28V

Инвентаризация: 12

RF MOSFET GAN HEMT 48V 360BH

Инвентаризация: 6

Top