- Модель продукта IPBE65R075CFD7AATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 32A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 32A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 75mOhm @ 16.4A, 10V
- Материал феррулы 171W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 820µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-3-10
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 68 nC @ 10 V
- 3288 pF @ 400 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Инвентаризация: 4932
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Инвентаризация: 969
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Инвентаризация: 855
MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Инвентаризация: 407
AUTOMOTIVE PG-TO263-7
Инвентаризация: 1000
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Инвентаризация: 2421
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Инвентаризация: 107
